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    半导体基础知识与晶体管工艺原理之二

    时间:2010-08-14 09:10来源:www.www.larfn.com 作者:ictest8 点击:


    图17共发射极输出特性的三个工作区

    3输出特性曲线的几种异常情况

    1)大电流特性差(图18a)2)小电流特性压缩(图18b)

    3)饱和压降大(图18c)4)特性曲线倾斜(图18d)

    5)两段饱和特性(图18e)6)C-E低击穿(图18f)

    (图18a)(图18b)

     

    (图18c)(图18d)

    (图18e)(图18f)

    1-4-4晶体管的分类

    1 按结构极性分——NPN和PNP型

    2 按频率分——高频(超高频、微波):fT>3MHz

    低频:fT〈3MHz

    • 按功率分——大功率:Ptot>1W

    小功率:Ptot〈1W

    • 按工艺分——平面、台面、台平面,---------等
    • 按功能分——放大、振荡、开关、--------等

    1-4-5晶体管的主要电参数

    1 直流参数

    ●击穿电压——BVCBO、BVCEO、BVEBO(单位:V)

    1)测试方法——在规定的测试电流下,测出两个对应电极间的击穿电压值。(一般在实际测试中,测不到真正的击穿点)。

    2)BVEBO的高低决定于——基区的杂质浓度

    3)BVCBO的高低决定于——集电区的电阻率

    4)BVCEO的高低决定于——BVCBO的高低和β的大小,

    而且有关系式:BVCEO = BVCBO /(1+β)1/n

    ●反向电流——ICBO、ICEO、IEBO(单位:μA或mA)

    1)测试方法——在规定的测试电压下,测出两个对应电极间的反向电流值。

    2)IEBO、ICBO分别是发射结和集电结的反向漏电流,在正常情况下,应该是一个很小的数值(一般在nA 或μA数量级)。

    3)ICEO的大小与ICBO和β有关——ICEO =(1+β)ICBO

    4)实际晶体管的反向电流大小决定于晶体管芯片P-N结表面的清洁度——因此,在生产中必须加强清洗工艺。

    ● 电流放大倍数——hFE

    1) 测试方法——在规定的VCE、IC条件下,测出IC和IB值,然后,计算出hFE=IC/IB。

    2)hFE的大小决定于——硼、磷扩散的杂质浓度之比以及基区宽度的大?。ㄔ谂鹄┥⑻跫槐涞那疤嵯?,主要决定于磷扩散条件的控制和调试)。

    ●饱和压降——VCES、VBES(单位:V)

    • 测试方法——在规定的IC和IB条件下,测出VCES、VBES。
    • VCES、VBES的大小决定于——
      • 放大倍数hFE的大小
      • 材料电阻率的高低和外延层或高阻层的厚度
      • 上下电极的欧姆接触好坏。   
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